IGBT MG100Q1ZS40

Описание IGBT MG100Q1ZS40

IGBT MG100Q1ZS40 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Используется в инверторах, промышленных приводах, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой температурной стабильностью и надежностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип IGBT | NPT (Non-Punch Through) или Trench Gate (уточнить у производителя) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 100 А | | Импульсный ток (I_CM) | 200 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | до 300 Вт (зависит от системы охлаждения) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1,8 В (при номинальном токе) | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (или другой, уточнить по datasheet) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (зависит от производителя):

• Infineon: IKW100N120T2
• Fuji Electric: 2MBI100U4A-120
• Mitsubishi: CM100DY-24A
• SEMIKRON: SKM100GB12T4
• IXYS: IXGH100N120B3

Совместимые модели (проверять распиновку и характеристики!):

• MG75Q1YS40 (75 А, 1200 В)
• MG150Q1YS40 (150 А, 1200 В)
• IRG4PH40UD (40 А, 1200 В, International Rectifier)

Примечание

Для точного соответствия рекомендуется проверять datasheet производителя, так как параметры могут отличаться в зависимости от партии и модификации. Если модуль используется в ремонте, важно учитывать схему драйвера и тепловые характеристики.

Нужна дополнительная информация по применению или замене? Уточните детали!