IGBT MG100Q1ZS50

Описание IGBT MG100Q1ZS50

IGBT MG100Q1ZS50 – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для использования в силовых электронных устройствах, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями. Модуль обладает высокой перегрузочной способностью, низкими коммутационными потерями и хорошей температурной стабильностью.

Корпус модуля обеспечивает эффективный теплоотвод и электрическую изоляцию, что делает его пригодным для промышленного применения в жестких условиях эксплуатации.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT модуль | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 500 В | | Номинальный ток (I_C) | 100 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 200 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | ~300 Вт (зависит от условий охлаждения) | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при номинальном токе) | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Температура хранения | от -40°C до +125°C | | Температура перехода (T_j) | до +150°C | | Тип корпуса | Изолированный (например, TO-247 или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW100N50T
• Fuji Electric: 2MBI100V-050
• Mitsubishi: CM100DY-12H
• SEMIKRON: SKM100GB063D

Совместимые модули (по напряжению и току):

• MG75Q1YS40 (75 А, 400 В)
• MG150Q1YS50 (150 А, 500 В)
• IRG4PH50UD (International Rectifier)

При замене рекомендуется учитывать параметры управления (напряжение затвора, токи переключения) и тепловые характеристики.

Применение

• Преобразователи частоты
• Системы управления двигателями
• Инверторы для солнечных электростанций
• Сварочные аппараты
• Промышленные источники питания

Если вам нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос.