IGBT MG100Q2YS50

Описание IGBT MG100Q2YS50

IGBT MG100Q2YS50 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Модуль широко используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 100 А |
| Ток коллектора (I_C) при 80°C | 50 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 200 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 2,5 В (при 50 А) |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт |
| Корпус | модуль (например, TO-247 или аналогичный) |
| Рабочая температура | от -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• FGA100N120ANTD (Fairchild)
• IXGH100N120B3 (IXYS)
• IRG4PH50UD (Infineon)
• CM100DY-24H (Mitsubishi)

Совместимые модули в схожих корпусах:

• MG75Q2YS50 (75A, 1200V)
• MG150Q2YS50 (150A, 1200V)
• SKM100GB12T4 (Semikron)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужны дополнительные аналоги или спецификации для конкретного применения – уточните условия эксплуатации.