IGBT MG10H6EM1

Описание IGBT MG10H6EM1

IGBT MG10H6EM1 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования и других силовых электронных устройств. Отличается высокой устойчивостью к перегрузкам, низкими динамическими потерями и высокой скоростью переключения.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------|----------| | Тип устройства | NPT IGBT | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 10 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 6 А | | Импульсный ток (I_CM) | 20 А | | Мощность рассеяния (P_D) | 50 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,0 В (при I_C = 10 А) | | Время включения (t_on) | 50 нс | | Время выключения (t_off) | 200 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 2,5 °C/Вт | | Корпус | TO-220F (изолированный) | | Рабочая температура | -55°C…+150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (полная совместимость):

• MG10H6EM1 (оригинал)
• IRG4PC40UD (International Rectifier)
• HGTG10N60A4D (ON Semiconductor)
• STGW10NC60HD (STMicroelectronics)

Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):

• FGA10N60 (Fairchild)
• IXGH10N60 (IXYS)
• APT10GP60B (Microsemi)

Область применения

• Инверторы и преобразователи частоты
• Сварочные аппараты
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Управление электродвигателями

Если вам нужна более точная замена, уточните параметры схемы (рабочее напряжение, ток, частоту переключений).