IGBT MG150J2YS50

Описание IGBT MG150J2YS50

IGBT MG150J2YS50 — это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, импульсных источниках питания и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES = 1200 В)
• Большой ток коллектора (I_C = 150 А)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Быстрое переключение и низкие динамические потери
• Встроенный антипараллельный диод (FWD)
• Корпус TO-247 (или другой, в зависимости от производителя)

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 150 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 75 А | | Импульсный ток (I_CM) | 300 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2,0–2,5 В | | Мощность рассеяния (P_tot) | 300–400 Вт | | Время включения (t_on) | ~50–100 нс | | Время выключения (t_off) | ~200–400 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C…+150°C | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW75N120T2, IKW40N120T2 (с меньшим током)
• Fuji Electric: 2MBI150U2A-120
• Mitsubishi: CM150DY-24S
• SEMIKRON: SKM150GB12T4

Похожие модули (полные IGBT-модули):

• Infineon FF150R12RT4 (150 А, 1200 В)
• Mitsubishi CM150DY-24S
• Fuji 2MBI150U2A-120

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Системы управления электродвигателями
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Энергетические преобразователи

Если нужны более точные данные по конкретному производителю или уточнение параметров, укажите — помогу найти!