IGBT MG150J7KS50

Описание и технические характеристики IGBT MG150J7KS50

IGBT MG150J7KS50 – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его подходящим для инверторов, частотных преобразователей, сварочного оборудования и промышленных источников питания.

Основные характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 150 А (@25°C) |
| Импульсный ток коллектора (I_CM) | 300 А |
| Мощность рассеивания (P_D) | 750 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 350 нс |
| Встроенный диод | Да (FRD) |
| Корпус | 7-контактный, модульный (например, 62mm × 24mm) |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели:

IGBT MG150J7KS50 может заменяться или использоваться вместе с аналогами:

• Mitsubishi:
  • CM150DY-24S
  • CM150DY-24H
  • CM150DY-24A
• Infineon (IR):
  • FF150R12KS4
  • FF150R12KT4
• Fuji Electric:
  • 2MBI150U4A-120
  • 2MBI150U4H-120
• SEMIKRON:
  • SKM150GB12T4
  • SKM150GB12V

Применение:

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы

Если вам нужны дополнительные аналоги или уточнения, укажите сферу применения – помогу подобрать замену!