IGBT MG150Q2YS51

Описание IGBT MG150Q2YS51

IGBT MG150Q2YS51 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования и промышленных приводов. Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, что делает его энергоэффективным решением для силовой электроники.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------------|-------------------------------| | Тип устройства | IGBT-модуль (NPT-технология) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 150 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 300 А (макс.) | | Мощность рассеивания (P_tot) | 750 Вт (с радиатором) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 2.5 В (при 150 А) | | Время включения (t_on) | ~50 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | ~300 нс (тип.) | | Температура работы | -40°C до +150°C | | Корпус | модуль с изолированным основанием |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги (тот же производитель):

• MG150Q2YS50 (аналогичные параметры, возможны небольшие отличия в характеристиках)
• MG150Q2YS52 (модификация с улучшенными динамическими параметрами)

Совместимые модели других производителей:

• Infineon: FF150R12RT4
• Mitsubishi: CM150DY-24S
• Fuji Electric: 2MBI150N-120
• SEMIKRON: SKM150GB12T4

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Промышленные приводы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Примечание

Перед заменой на аналог рекомендуется проверить соответствие характеристик и распиновки. Для оптимального теплоотвода требуется качественный радиатор и термопаста.

Если нужна дополнительная информация по подключению или аналогам, уточните детали!