IGBT MG15D4GM1

Описание IGBT MG15D4GM1

IGBT MG15D4GM1 – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, преобразователях, приводах электродвигателей и других силовых электронных устройствах. Компонент отличается высокой скоростью переключения, низкими потерями проводимости и высокой устойчивостью к перегрузкам.

Корпус TO-247 обеспечивает хороший теплоотвод, что делает транзистор пригодным для работы в жестких условиях.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |--------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | IGBT с N-каналом | | Корпус | TO-247 | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 400 В | | Ток коллектора (I_C) | 15 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 30 А | | Мощность рассеивания (P_D) | 100 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1,5 В (при 15 А) | | Время включения (t_on) | 15 нс | | Время выключения (t_off) | 60 нс | | Температура перехода (T_j) | от -55°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 1,25 °C/Вт |

Парт-номера и аналоги

Оригинальный номер:

• MG15D4GM1

Совместимые аналоги:

• IRG4PC40U (International Rectifier)
• FGA15N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG15N120BND (Microsemi)
• STGW15NC120HD (STMicroelectronics)

Похожие модели от других производителей:

• IXGH15N120 (IXYS)
• APT15GR120J (Microchip)

Применение

IGBT MG15D4GM1 используется в:

• Частотных преобразователях
• Индукционных нагревателях
• Импульсных источниках питания
• Электроприводах
• Системах управления двигателями

Если вам нужна точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметрам, особенно по напряжению, току и скорости переключения.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!