IGBT MG15N6ES42

Описание IGBT MG15N6ES42

MG15N6ES42 – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в различных электронных устройствах. Модель разработана для применения в инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах и других силовых схемах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Быстрое переключение и низкие динамические потери
• Встроенный быстрый диод (антипараллельный) для защиты от обратного напряжения

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 15 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 10 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 30 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2,1 В (при I_C = 15 А) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Встроенный диод (FWD) | Да |
| Корпус | TO-220F (изолированный) |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полные замены):

• MG15N6ES4 (близкий аналог, возможны небольшие отличия в характеристиках)
• IRG4PC50UD (International Rectifier)
• HGTG15N60B3D (Fairchild/ON Semiconductor)
• FGA15N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW15NC60WD (STMicroelectronics)

Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):

• IRGP4063DPBF (International Rectifier)
• IXGH15N60B (IXYS)
• APT15GN60JDQ2 (Microchip Technology)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями
• Импульсные блоки питания

Если вам нужен точный аналог, рекомендуется сверять datasheet и проверять параметры в конкретной схеме.