IGBT MG15Q6ES42

Описание IGBT MG15Q6ES42

MG15Q6ES42 — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, импульсных источниках питания, промышленных приводах и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Низкие потери проводимости и переключения.
• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES).
• Быстрое переключение и устойчивость к перегрузкам.
• Встроенный обратный диод (FRD) для защиты от обратного напряжения.
• Изолированный корпус для удобства монтажа на радиатор.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 15 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 30 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 100 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 15 А) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Корпус | TO-247 (изолированный) |
| Рабочая температура | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• FGA15N60 (Fairchild)
• IRG4PC50U (International Rectifier)
• STGW15NC60WD (STMicroelectronics)
• HGTG15N60A4D (ON Semiconductor)

Совместимые модели в линейке Mitsubishi:

• MG15Q6ES40 (аналог с V_CES = 400 В)
• MG20Q6ES42 (более мощная версия, 20 А)
• MG15Q6ES50 (версия с V_CES = 500 В)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи.
• Импульсные блоки питания (SMPS).
• Сварочное оборудование.
• Управление электродвигателями.

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметрам по V_CES, I_C и тепловым характеристикам.