IGBT MG200J2YS50

Описание IGBT MG200J2YS50

MG200J2YS50 — это высоковольтный IGBT-транзистор с напряжением 1200 В и током коллектора 200 А, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования и промышленных приводов. Модуль выполнен в корпусе, обеспечивающем хорошее охлаждение и высокую надежность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------|-----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 200 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 120 А | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 400 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт | | Встроенный диод | Да (антипараллельный) | | Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.12 °C/Вт | | Рабочая температура | -40°C … +150°C | | Корпус | модульный (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и заменители:

• SKM200GB12T4 (Semikron)
• FF200R12KT4 (Infineon)
• CM200DY-12NF (Powerex)
• MG200Q2YS50 (Mitsubishi, 300 А версия)

Совместимые модули в схемах:

• Подходит для замены в инверторах и приводах, где используются аналогичные IGBT на 1200 В / 200 А.
• Совместим с драйверами, рассчитанными на высоковольтные IGBT (например, 2SC0435T, HCPL-316J).

Если вам нужна точная замена, рекомендуется проверить разводку выводов и характеристики в datasheet, так как у разных производителей могут быть отличия в корпусах и параметрах.

Нужна дополнительная информация по применению или схемотехнике?