IGBT MG200M1UK1

Описание IGBT MG200M1UK1

MG200M1UK1 — это высоковольтный IGBT-транзистор с диодом обратного хода (встроенным FRD), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и промышленных систем управления. Модуль обладает низкими коммутационными потерями и высокой надежностью, что делает его пригодным для применения в:

• Промышленных приводах
• Сварочных инверторах
• Системах возобновляемой энергетики
• Электроподвижении (тяговых преобразователях)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + FRD |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 200 А |
| Ток коллектора (I_C) при 80°C | 140 А |
| Импульсный ток (I_CP) | 400 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 600 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 80 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Корпус | модуль, изолированный (NTC может присутствовать) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Mitsubishi: CM200DY-12NFH (близкий по параметрам)
• Infineon: FF200R12KT4
• SEMIKRON: SKM200GB12T4
• Fuji: 2MBI200U2A-120
• IXYS (Littelfuse): MIXA200PH1200TC

Cross-reference (альтернативные обозначения):

• MG200M1UK1 (оригинал Toshiba)
• MG200M1UK1A (возможна модификация)
• MG200M1UK1-TL (версия для автоматизированного монтажа)

Примечания по замене

При выборе аналога важно учитывать:

• Напряжение и токовые характеристики
• Тип корпуса (монтажные отверстия, изоляция)
• Наличие встроенного диода (FRD)
• Рабочую частоту (влияет на потери)

Если требуется точная замена, рекомендуется сверяться с даташитом производителя.