IGBT MG200Q1US21

Описание IGBT MG200Q1US21

IGBT MG200Q1US21 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных инверторных и импульсных преобразовательных систем. Модуль обладает высокой перегрузочной способностью, низкими потерями проводимости и переключения, а также встроенным быстрым диодом.

Применяется в:

• Промышленных частотных преобразователях
• Сварочных инверторах
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводах и системах управления двигателями

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|---------------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (NPT-технология) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 200 А (при 25°C) / 100 А (при 100°C) | | Ток встроенного диода (I_F) | 200 А (макс.) | | Мощность рассеивания (P_tot) | ~500 Вт (с радиатором) | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.) | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2.1 В (при 100 А) | | Время включения (t_on) | ~60 нс | | Время выключения (t_off) | ~300 нс | | Корпус | модуль (TO-264 или аналогичный) | | Рабочая температура | -40°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Оригинальные аналоги:

• MG200Q1US21 (оригинальный номер от Toshiba/Mitsubishi)
• CM200DY-24A (Powerex / Mitsubishi)
• FF200R12KE3 (Infineon)
• FZ200R12KE3 (Infineon, с улучшенными параметрами)

Совместимые замены (требуется проверка распиновки и характеристик):

• SKM200GB12T4 (Semikron)
• 2MBI200U2A-120 (Fuji Electric)
• PM200CLA120 (Mitsubishi)

Примечания:

1. Перед заменой убедитесь в совпадении характеристик и корпусного исполнения.
2. Для эффективного охлаждения рекомендуется использовать термопасту и радиатор с тепловым сопротивлением не более 0.15 °C/Вт.
3. Напряжение затвора не должно превышать ±20 В, иначе возможен пробой.

Если нужна дополнительная информация по подключению или аналогам, уточните параметры вашей схемы!