IGBT MG200Q1US41

Описание IGBT модуля MG200Q1US41

MG200Q1US41 — это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для мощных инверторных и импульсных преобразователей. Он используется в промышленных приложениях, таких как:

• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Системы UPS и солнечные инверторы

Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|-----------------------------------|
| Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) |
| Макс. напряжение | 600 В (VCES) |
| Номинальный ток | 200 А (при 25°C) |
| Ток коллектора (IC @ 80°C) | 100 А (типовой) |
| Мощность рассеивания | ~300 Вт (зависит от охлаждения) |
| Падение напряжения (VCE(sat)) | ~1.8 В (типовое) |
| Время переключения | ton ~100 нс, toff ~300 нс |
| Корпус | Стандартный модульный (изолированный) |
| Температура работы | -40°C до +150°C |
| Изоляция корпуса | Да (2500 В AC/мин) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальные парт-номера:

• MG200Q1US41 (Toshiba)
• MG200Q1US41K (версия с улучшенными характеристиками)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF200R06KE3
• Mitsubishi: CM200DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-060
• SEMIKRON: SKM200GB066D

Совместимые модели (по характеристикам и корпусу):

• MG100Q1US41 (100 А)
• MG300Q1US41 (300 А)
• CM300DY-12NF (Mitsubishi)
• FF300R06KE3 (Infineon)

Примечания

• При замене на аналог важно учитывать параметры напряжения, тока и терморезисторов.
• Рекомендуется проверять разводку выводов (pinout), так как у разных производителей она может отличаться.

Если вам нужна дополнительная информация по применению или схемам подключения, уточните запрос!