IGBT MG25J2YS40

Описание IGBT MG25J2YS40

MG25J2YS40 – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) от Mitsubishi Electric, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений, таких как:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные приводы
• Сварочное оборудование

Ключевые особенности:

• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Высокая стойкость к перегрузкам и короткому замыканию
• Быстрое переключение с малыми динамическими потерями
• Встроенный антипараллельный диод для защиты от обратного напряжения

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 25 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CP) | 50 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1,8 В (тип.) при I_C = 25 А |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 5,0 В (тип.) |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 100 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,83 °C/Вт |
| Встроенный диод | Да (FWD) |
| Корпус | TO-247 (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Mitsubishi Electric:

• MG25J2YS40L (модификация с улучшенными динамическими параметрами)
• MG25J2YS50 (версия на 500 В)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IHW25N60R3 (600 В, 25 А, TO-247)
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA25N60ANTD (600 В, 25 А, TO-3P)
• STMicroelectronics: STGW25H60DF (600 В, 25 А, TO-247)
• IXYS: IXGH25N60B3D1 (600 В, 25 А, TO-247)

Возможные замены (с проверкой распиновки!):

• IRG4PH40UD (International Rectifier, 600 В, 23 А)
• HGTG20N60B3 (Fairchild, 600 В, 20 А)

Примечания

1. Совместимость: Перед заменой следует уточнить параметры и распиновку, особенно в схемах с высокими dv/dt.
2. Охлаждение: Рекомендуется использовать термопасту и радиатор для эффективного отвода тепла.
3. Управление: Для оптимальной работы требуется драйвер затвора с током ≥2 А.

Если требуется точный аналог, лучше ориентироваться на datasheet и условия работы конкретной схемы.