IGBT MG25Q6ES40

Описание IGBT MG25Q6ES40

MG25Q6ES40 — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективных импульсных преобразователей, инверторов и систем управления мощностью. Модуль обладает низкими коммутационными потерями, высокой температурной стабильностью и встроенным диодом обратного хода (FRD), что делает его пригодным для промышленных и бытовых применений, включая:

• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• ИБП и солнечные инверторы
• Управление электродвигателями

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип IGBT | NPT (Non-Punch Through) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 25 А (непрерывный) | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 15 А (непрерывный) | | Импульсный ток (I_CP) | 50 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.0 В (тип.) при 25 А | | Время включения (t_on) | 40 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 150 нс (тип.) | | Встроенный диод (FRD) | Да | | Макс. температура перехода (T_j) | 150°C | | Корпус | TO-247 (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• HGTG20N60A4D (ON Semiconductor)
• FGA25N120ANTD (Fairchild)
• IXGH25N60B (IXYS)

Парт-номера производителя (Mitsubishi или другого бренда):

• MG25Q6ES40R (модификация с улучшенным теплоотводом)
• CM75DY-12H (аналог для более мощных систем)

Примечания по замене

При выборе аналога учитывайте:

1. Напряжение и ток (минимум 600 В / 25 А).
2. Тип корпуса (TO-247 для совместимости с теплоотводом).
3. Наличие встроенного диода (если требуется).

Если вам нужна точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров.