IGBT MG25Q6ES42

Описание IGBT MG25Q6ES42

IGBT MG25Q6ES42 – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования и других устройств силовой электроники.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat))
• Быстрое переключение и низкие динамические потери
• Встроенный антипараллельный диод для защиты от обратного напряжения

Технические характеристики

Основные параметры

| Характеристика | Значение |
|----------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Максимальный ток коллектора (IC) | 25 А |
| Ток импульсный (ICM) | 50 А |
| Падение напряжения VCE(sat) | ≤ 1,8 В (при IC = 25 А) |
| Мощность рассеивания (Ptot) | 100 Вт |
| Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C |
| Время включения (ton) | ≤ 50 нс |
| Время выключения (toff) | ≤ 150 нс |

Встроенный диод

| Параметр | Значение |
|---------------------------|----------|
| Обратное напряжение (VR) | 600 В |
| Прямой ток (IF) | 25 А |
| Время восстановления (trr) | ≤ 100 нс |

Тепловые характеристики

| Корпус | Rth(j-c) (тепловое сопротивление) |
|--------|----------------------------------|
| TO-247 | ≤ 0,75 °C/Вт |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (полные замены)

• MG25Q6ES40 (600 В, 25 А, TO-247)
• MG25Q6ES50 (500 В, 25 А, TO-247)
• IRG4PH50UD (International Rectifier, 600 В, 23 А)
• FGA25N120ANTD (Fairchild, 1200 В, 25 А)

Совместимые модели (с проверкой схемы)

• HGTG20N60A4D (600 В, 20 А, TO-247)
• IXGH25N60B (600 В, 25 А, TO-247)
• STGW25H60DF (600 В, 25 А, TO-247, с диодом)

Область применения

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями

Если вам нужны дополнительные параметры или аналоги, уточните условия замены (напряжение, ток, корпус).