IGBT MG300Q1US11

Описание IGBT MG300Q1US11

IGBT MG300Q1US11 – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, преобразователях частоты, инверторах и системах управления электродвигателями. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей термостойкостью.

Технические характеристики

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1100 В
• Ток коллектора (I_C): 300 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 600 А (импульсный)
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 1200 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (при I_C = 300 А)
• Время включения (t_on): 60 нс
• Время выключения (t_off): 200 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Тип корпуса: модуль (обычно с изолированным основанием)
• Встроенный диод: есть (антипараллельный)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF300R12KE3
• Mitsubishi Electric: CM300DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI300U4A-110
• Semikron: SKM300GB12T4
• IXYS: IXGH300N110

Совместимые модули (схожие параметры):

• MG300Q1US12 (1200 В версия)
• MG400Q1US11 (400A, 1100 В)
• MG200Q1US11 (200A, 1100 В)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется уточнение по конкретному аналогу или замене, укажите условия работы (нагрузка, охлаждение и т. д.).