IGBT mg400q1us1

Описание IGBT MG400Q1US1

MG400Q1US1 — это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых приложений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.

Отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой температурной стабильностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|---------------------------------------|
| Тип устройства | IGBT + диод (NPT-технология) |
| Коллектор-эмиттер напряжение (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 400 А (при 25°C) |
| Ток коллектора (I_C) | 200 А (при 100°C) |
| Пиковый ток (I_CM) | 800 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤2.5 В (при 200 А) |
| Мощность рассеивания (P_D) | 1000 Вт (с теплоотводом) |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (изолированный или стандартный)|

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (замены):

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA40N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH40N60C2D1 (IXYS/Littelfuse)
• STGW40NC60WD (STMicroelectronics)

Совместимые модели (похожие параметры):

• MG300Q1US1 (300 А, 600 В)
• MG600Q1US1 (600 А, 600 В)
• CM400DY-24A (Mitsubishi)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Электроприводы
• UPS (источники бесперебойного питания)

Если нужны дополнительные аналоги или уточнения, укажите конкретные требования!