IGBT mg50h1bs1

Описание IGBT MG50H1BS1

MG50H1BS1 – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных и силовых приложений. Используется в инверторах, сварочных аппаратах, импульсных источниках питания и других высоковольтных системах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 25 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (тип.) | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт | | Время включения (t_on) | 80 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 400 нс (тип.) | | Корпус | TO-247 (изолированный) | | Температура хранения/работы | -55°C до +150°C |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (замены):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH50N120B3 (IXYS/Littelfuse)
• HGTG50N120B3 (Microsemi)

Совместимые модели (схожие характеристики):

• MG50Q1BS1 (аналог с улучшенными динамическими параметрами)
• CM50DY-24H (Mitsubishi)
• SKM50GB12T4 (SEMIKRON)

Рекомендуется проверять разводку выводов и характеристики перед заменой, так как у разных производителей могут быть отличия в параметрах и корпусах.

Если вам нужна более точная информация по конкретному применению, уточните условия работы (частота переключений, охлаждение и т. д.).