IGBT MG50J1BS1

Описание IGBT MG50J1BS1

IGBT MG50J1BS1 – это силовой транзистор с изолированным затвором, предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах и других силовых электронных устройствах. Этот модуль сочетает в себе преимущества MOSFET (высокую скорость переключения) и биполярных транзисторов (низкие потери в открытом состоянии).

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 50 А (при 25°C)
• Ток коллектора импульсный (I_CM): 100 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 200 Вт (с радиатором)
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 2.0 В (при I_C = 50 А)
• Время включения (t_on): 40 нс
• Время выключения (t_off): 150 нс
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C

Параметры затвора:

• Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)): 4.0 – 6.0 В
• Рекомендуемое напряжение затвора (V_GE): ±20 В (макс.)
• Заряд затвора (Q_g): 150 нКл

Корпус и монтаж

• Тип корпуса: TO-247 (3-выводной)
• Материал корпуса: Пластик, термостойкий
• Крепление: Через отверстие с изолирующей прокладкой

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (полные замены):

• MG50J1BS1 (оригинал)
• IRG4PC50UD (International Rectifier)
• FGA50N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60B3 (Microsemi)

Совместимые модели (схожие параметры):

• IXGH50N60B3 (IXYS)
• STGW50NC60WD (STMicroelectronics)
• APT50GR60J (Microchip)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Сварочное оборудование
• Электроприводы и сервосистемы
• Солнечные инверторы

Если вам нужна более точная замена, рекомендуется учитывать условия работы (частота переключения, тепловой режим, нагрузка).