IGBT mg50j2ys91

Описание IGBT MG50J2YS91

IGBT MG50J2YS91 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для высоковольтных и высокоточных силовых приложений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, электроприводах и других системах управления мощностью.

Отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей термостабильностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|-----------------------------------|
| Тип транзистора | N-канальный IGBT |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 900 В |
| Ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~2.1 В (при I_C = 50 А) |
| Время включения (t_on) | ~55 нс |
| Время выключения (t_off) | ~150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (3-контактный) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полные или частичные замены):

• MG50J2YS51 (аналог с похожими параметрами)
• IXGH50N60B3 (Infineon, 600 В, 50 А)
• FGA50N65SMD (Fairchild/ON Semi, 650 В, 50 А)
• IRG4PC50UD (International Rectifier, 600 В, 55 А)

Совместимые модели в схемах (по напряжению и току):

• HGTG50N60B3 (Microsemi, 600 В, 50 А)
• STGW50HF60WD (STMicroelectronics, 600 В, 50 А)

Примечание

Перед заменой рекомендуется проверить соответствие характеристик, особенно напряжение V_CES и токовые параметры. В некоторых схемах могут потребоваться дополнительные доработки из-за различий в динамических характеристиках.

Если вам нужна точная замена, лучше ориентироваться на оригинальный номер MG50J2YS91 или аналоги от того же производителя (Mitsubishi или аналогичных брендов).