IGBT mg50q2ys50

Описание IGBT MG50Q2YS50

MG50Q2YS50 – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), разработанный для мощных импульсных и силовых электронных устройств. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других приложениях с высоким напряжением и током.

Отличается высокой надежностью, низкими коммутационными потерями и высокой температурной стабильностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Тип транзистора | IGBT с диодом (NPT) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 50 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 250 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,5 В (при 50 А) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 300 нс |
| Температура хранения (T_stg) | от -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |

Альтернативные парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги:

• MG50Q2YS40 (1200 В, 50 А, TO-247)
• MG50Q2YS60 (1200 В, 50 А, TO-247, улучшенные параметры)
• FGA50N120 (Fairchild, 1200 В, 50 А)
• IXGH50N120 (IXYS, 1200 В, 50 А)
• IRG4PH50U (Infineon, 1200 В, 50 А)

Совместимые модели (по характеристикам):

• HGTG50N120 (Microsemi, 1200 В, 50 А)
• STGW50NC60WD (STMicroelectronics, 600 В, 50 А, но может заменяться в некоторых схемах)
• APT50GR120J (Microchip, 1200 В, 50 А)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Системы управления электродвигателями
• Устройства плавного пуска

Если вам нужны спецификации конкретного аналога или доп. информация – уточните запрос!