IGBT MG50Q2YS50A

Описание IGBT MG50Q2YS50A

IGBT MG50Q2YS50A – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Модуль широко используется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, электроприводах и других силовых электронных устройствах.

Отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой стойкостью к перегрузкам. Конструкция модуля включает встроенный антипараллельный диод, обеспечивающий защиту от обратных токов.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|---------------------------------------| | Тип устройства | IGBT + диод (NPT, Trench-Gate) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 500 В | | Номинальный ток (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Мощность рассеяния (P_tot) | 200 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,0 В (при 25 А, 25°C) | | Время включения (t_on) | 40 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Температурный диапазон | -40°C ... +150°C | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и заменители:

• Infineon: IKW50N60T, IKW50N65H5
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA50N65SMD
• STMicroelectronics: STGW50HF60W
• Mitsubishi: CM50DY-24H
• Toshiba: GT50J325

Совместимые модули в схожих корпусах:

• MG50Q2YS40 (400 В, 50 А)
• MG75Q2YS50 (500 В, 75 А)
• MG30Q2YS50 (500 В, 30 А)

Применение

• Силовые инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Промышленные преобразователи частоты

Модуль MG50Q2YS50A подходит для замены многих аналогов, но перед установкой рекомендуется проверять распиновку и параметры схемы.

Если нужны дополнительные данные (графики, Datasheet), уточните!