IGBT-модуль MG75J2YS45

Описание IGBT-модуля MG75J2YS45

MG75J2YS45 – это высоковольтный IGBT-модуль, предназначенный для применения в мощных преобразовательных устройствах, таких как инверторы, частотные приводы, импульсные источники питания и системы управления электродвигателями. Модуль обладает высокой перегрузочной способностью, низкими коммутационными потерями и высокой термостабильностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Тип модуля | IGBT с диодом обратного хода (встроенный антипараллельный диод) |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C) | 75 А |
| Импульсный ток коллектора (I_CM) | 150 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 1,85 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 250 нс |
| Температурный диапазон | -40°C … +150°C |
| Тип корпуса | 6-контактный (например, TO-247 или аналогичный) |
| Вес | ~40 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• MG75J2YS40 (аналог с близкими параметрами)
• IXGH75N120 (аналог от IXYS)
• FF75R12RT4 (Infineon)
• CM75DY-12H (Mitsubishi)

Совместимые модули в схемах:

• SKM75GB12T4 (Semikron)
• BSM75GB120DN2 (Infineon)
• FZ75R12KE3 (Fuji Electric)

Если требуется конкретная замена, необходимо учитывать характеристики схемы управления и тепловые параметры.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!