IGBT MG75J2YS91

Описание IGBT MG75J2YS91

IGBT MG75J2YS91 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных преобразовательных и импульсных устройств. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и надежностью, что делает его пригодным для применения в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных системах управления.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT + диод (полумост/одиночный) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) | | Ток короткого замыкания (I_SC) | 150 А (макс.) | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | до 300 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2.1 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 60 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 200 нс (тип.) | | Рабочая температура | -40°C … +150°C | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• MG75J2YS91 (оригинальное обозначение)
• MG75J2YS91RL (версия на ленте для автоматизированного монтажа)

Совместимые и аналогичные модели:

• Infineon: IKW75N120T2, IKW75N120H3
• Fuji Electric: 2MBI75N-120
• Mitsubishi: CM75DY-24H
• IXYS: IXGH75N120B3
• STMicroelectronics: STGW75H120DF2

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями
• Промышленные системы питания

Примечания

• Перед заменой на аналог рекомендуется проверять распиновку и характеристики.
• Для оптимального теплоотвода рекомендуется использовать радиаторы с теплопроводящей пастой.

Если вам нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос.