IGBT MG75Q2YS50

Описание IGBT MG75Q2YS50

MG75Q2YS50 — это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективных преобразователей энергии, инверторов и импульсных источников питания. Компонент обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его пригодным для промышленных и силовых электронных применений.

Ключевые особенности:

• Высокая стойкость к перегрузкам
• Быстрое переключение
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии
• Встроенный обратный диод для защиты от перенапряжений

Технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 500 В |
| Ток коллектора (I_C) | 75 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 150 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1,8 В (при 75 А) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Корпус | TO-247 (3-pin) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• MG75Q2YS50 (основная модель)
• MG75Q2YS50R (версия с улучшенной пайкой)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: IKW75N65ES5 (650 В, 75 А)
• Fuji Electric: 2MBI75N-120 (600 В, 75 А)
• Mitsubishi Electric: CM75DY-24H (600 В, 75 А)
• ON Semiconductor: FGH75N60SMD (600 В, 75 А)

Область применения

• Промышленные инверторы
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Солнечные инверторы

Если нужны дополнительные данные (графики, корпусные чертежи), уточните!