IGBT MG75Q2YS50

IGBT MG75Q2YS50
Артикул: 298950

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT MG75Q2YS50

Описание IGBT MG75Q2YS50

MG75Q2YS50 — это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективных преобразователей энергии, инверторов и импульсных источников питания. Компонент обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его пригодным для промышленных и силовых электронных применений.

Ключевые особенности:

  • Высокая стойкость к перегрузкам
  • Быстрое переключение
  • Низкое падение напряжения в открытом состоянии
  • Встроенный обратный диод для защиты от перенапряжений

Технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 500 В |
| Ток коллектора (IC) | 75 А |
| Ток импульсный (ICM) | 150 А |
| Рассеиваемая мощность (Ptot) | 300 Вт |
| Падение напряжения (VCE(sat)) | 1,8 В (при 75 А) |
| Время включения (ton) | 60 нс |
| Время выключения (toff) | 120 нс |
| Корпус | TO-247 (3-pin) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |


Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

  • MG75Q2YS50 (основная модель)
  • MG75Q2YS50R (версия с улучшенной пайкой)

Совместимые аналоги от других производителей:

  • Infineon: IKW75N65ES5 (650 В, 75 А)
  • Fuji Electric: 2MBI75N-120 (600 В, 75 А)
  • Mitsubishi Electric: CM75DY-24H (600 В, 75 А)
  • ON Semiconductor: FGH75N60SMD (600 В, 75 А)

Область применения

  • Промышленные инверторы
  • Сварочное оборудование
  • Управление электродвигателями
  • ИБП (источники бесперебойного питания)
  • Солнечные инверторы

Если нужны дополнительные данные (графики, корпусные чертежи), уточните!

Товары из этой же категории