IGBT MG75Q2YS50

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT MG75Q2YS50
Описание IGBT MG75Q2YS50
MG75Q2YS50 — это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективных преобразователей энергии, инверторов и импульсных источников питания. Компонент обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его пригодным для промышленных и силовых электронных применений.
Ключевые особенности:
- Высокая стойкость к перегрузкам
- Быстрое переключение
- Низкое падение напряжения в открытом состоянии
- Встроенный обратный диод для защиты от перенапряжений
Технические характеристики (ТТХ)
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 500 В |
| Ток коллектора (IC) | 75 А |
| Ток импульсный (ICM) | 150 А |
| Рассеиваемая мощность (Ptot) | 300 Вт |
| Падение напряжения (VCE(sat)) | 1,8 В (при 75 А) |
| Время включения (ton) | 60 нс |
| Время выключения (toff) | 120 нс |
| Корпус | TO-247 (3-pin) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |
Парт-номера и аналоги
Оригинальные парт-номера:
- MG75Q2YS50 (основная модель)
- MG75Q2YS50R (версия с улучшенной пайкой)
Совместимые аналоги от других производителей:
- Infineon: IKW75N65ES5 (650 В, 75 А)
- Fuji Electric: 2MBI75N-120 (600 В, 75 А)
- Mitsubishi Electric: CM75DY-24H (600 В, 75 А)
- ON Semiconductor: FGH75N60SMD (600 В, 75 А)
Область применения
- Промышленные инверторы
- Сварочное оборудование
- Управление электродвигателями
- ИБП (источники бесперебойного питания)
- Солнечные инверторы
Если нужны дополнительные данные (графики, корпусные чертежи), уточните!