IGBT MG75Q2YS51

Описание IGBT MG75Q2YS51

IGBT MG75Q2YS51 – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он широко используется в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES)
• Низкие потери проводимости и переключения
• Быстрое переключение и высокая эффективность
• Встроенный обратный диод для защиты от обратного напряжения
• Высокая надежность и термостабильность

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | NPT IGBT с диодом |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 75 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 50 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 150 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,0 В (при I_C = 75 А) |
| Время включения (t_d(on)) | 35 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 150 нс |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и парт-номера:

• MG75Q2YS50
• MG75Q2YS40
• MG75Q2YS60
• IXGH75N120B3 (аналог от IXYS)
• FGA75N120ANTD (аналог от Fairchild/ON Semiconductor)

Совместимые модули (если используется в составе модулей IGBT):

• FF75R12YT3 (Infineon)
• CM75DY-24H (Mitsubishi)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Системы управления электродвигателями
• ИБП и солнечные инверторы
• Электромобильные зарядные станции

Если вам нужны дополнительные данные (графики, даташит), уточните запрос!