IGBT MG8G6EM1

Описание IGBT модуля MG8G6EM1

MG8G6EM1 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным диодом, предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в силовой электронике. Модуль применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других промышленных устройствах.

Основные преимущества:

• Высокая перегрузочная способность
• Низкие потери проводимости и переключения
• Встроенный быстрый обратный диод (FRD)
• Высокая изоляция между элементами

Технические характеристики

Основные параметры IGBT:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Номинальный ток коллектора (I_C @25°C): 100 А
• Ток коллектора (I_C @100°C): 50 А
• Максимальный импульсный ток (I_CP): 200 А
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 1.8 В (тип.)
• Скорость переключения: высокая (частота до 20 кГц)

Параметры встроенного диода:

• Максимальное обратное напряжение (V_RRM): 600 В
• Прямой ток (I_F): 100 А
• Время восстановления (t_rr): <100 нс

Тепловые характеристики:

• Температура перехода (T_j): -40°C … +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0.25 °C/Вт

Механические параметры:

• Корпус: модуль с изолированным основанием
• Монтаж: винтовое крепление
• Вес: ~100 г

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Fuji Electric: 2MBI100U4A-060
• Infineon: FF100R06KE3
• Mitsubishi: CM100DY-24H
• SEMIKRON: SKM100GB066D

Совместимые модули в линейке Mitsubishi:

• MG8G6DM1 (аналог с другим корпусом)
• MG10G6EM1 (более мощная версия)
• MG7G6EM1 (менее мощная версия)

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос.