IGBT MG8Q6ES1

Описание IGBT MG8Q6ES1

IGBT MG8Q6ES1 – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных преобразовательных устройствах, таких как инверторы, драйверы двигателей, сварочные аппараты и UPS. Этот модуль сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую термическую стабильность.

Технические характеристики

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 8 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 16 А (пиковый)
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 50 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 1,8 В (тип.)
• Время включения (t_on): 40 нс
• Время выключения (t_off): 150 нс
• Температурный диапазон: -40°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (или аналогичный)

Парт-номера и аналоги

• Оригинальный номер: MG8Q6ES1
• Аналоги и совместимые модели:
  • IRG4PH50UD (International Rectifier)
  • FGA8Q65P (Fairchild/ON Semiconductor)
  • STGW30H60DF (STMicroelectronics)
  • HGTG8N60A4D (Microsemi)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями

Если вам нужны дополнительные параметры (например, графики характеристик или точные аналоги для замены), уточните область применения.