IGBT MIG150Q101H

Описание IGBT модуля MIG150Q101H

MIG150Q101H — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для применения в мощных импульсных преобразователях, инверторах, частотных преобразователях и системах управления электродвигателями. Модуль сочетает высокую переключательную способность, низкие потери проводимости и надежную изоляцию корпуса.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Тип модуля | IGBT с обратным диодом (Half-Bridge / 2-in-1) | | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 150 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CP) | до 300 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2.0 В (тип.) | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~200 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.15 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C до +150°C | | Корпус | Изолированный (например, SEMiX или аналогичный) |

Встроенный диод (FWD)

• Напряжение диода (V_F): ~1.8 В
• Время восстановления (t_rr): ~100 нс

Совместимые модели и парт-номера

Аналоги и замены могут различаться в зависимости от производителя, но наиболее близкие альтернативы:

• Infineon: FF150R12KE3, FF150R12KT3
• Mitsubishi: CM150DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI150U2A-060
• SEMIKRON: SKM150GB12T4

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Импульсные источники питания

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet и конфигурацию выводов, так как параметры могут незначительно отличаться.