IGBT mig30j105lb

IGBT MIG30J105LB: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT MIG30J105LB – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), разработанный для высокоэффективных силовых приложений. Устройство обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его подходящим для инверторов, сварочного оборудования, импульсных источников питания и электроприводов.

Корпус TO-247 обеспечивает хорошее тепловое рассеивание, а встроенный быстрый диод повышает надежность в схемах с индуктивной нагрузкой.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|----------------------------------|
| Тип устройства | IGBT с антипараллельным диодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1050 В |
| Ток коллектора (I_C) | 30 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 60 А (макс.) |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт (при 25°C) |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.) |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 4,5–6,5 В |
| Время включения (t_d(on)) | 30 нс (тип.) |
| Время выключения (t_d(off)) | 150 нс (тип.) |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,45 °C/Вт |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полные замены):

• MIG30J105LB (оригинал)
• IXGH30N105 (IXYS)
• IRG4PH50UD (Infineon) – аналог с близкими параметрами
• H30R1052 (STMicroelectronics)

Условно совместимые модели (требуется проверка схемы):

• FGA30N120ANTD (Fairchild/ON Semi) – 1200 В, 30 А
• NGTB30N120LWG (ON Semiconductor) – 1200 В, 30 А
• GT30J105 (Toshiba) – 1050 В, 30 А

Применение

• Сварочные инверторы
• Частотные преобразователи
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями
• Устройства плавного пуска

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять datasheet и тестировать в конкретной схеме. Для улучшенного охлаждения рекомендуется использовать термопасту и радиатор.