IGBT Ngtb40n120fl2wg

Описание IGBT NGTB40N120FL2WG

NGTB40N120FL2WG – это IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом, разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Основные области применения:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Сварочное оборудование
• Индукционный нагрев
• Управление электродвигателями
• Импульсные источники питания

Ключевые особенности:

• Низкие потери проводимости и переключения
• Высокая стойкость к перегрузкам
• Встроенный ультрабыстрый антипараллельный диод
• Планарная технология повышает надежность

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 80 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 40 А | | Импульсный ток (I_CM) | 160 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.1 В (при I_C = 40 А) | | Время включения (t_d(on)) | 28 нс | | Время выключения (t_d(off)) | 220 нс | | Встроенный диод (FRD) | Да (Ultra Fast) | | Корпус | TO-247 (3 контакта) | | Рабочая температура | -55°C ... +150°C |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (по характеристикам):

• Infineon: IKW40N120T2 (1200V, 40A, TO-247)
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA40N120ANTD (1200V, 40A, TO-247)
• STMicroelectronics: STGW40NC120WD (1200V, 40A, TO-247)
• Mitsubishi: CM400DY-24A (1200V, 40A, модуль)

Близкие по параметрам:

• IXYS: IXGH40N120B3 (1200V, 40A, TO-247)
• Toshiba: GT40QR21 (1200V, 40A, TO-247)

Примечания по замене

При выборе аналога учитывайте:

• Напряжение и ток
• Наличие встроенного диода
• Корпус и тепловые характеристики
• Временные параметры переключения

Если требуется модульная версия, можно рассмотреть SEMIKRON SKM200GB12T4 (другая мощность, но схожий принцип работы).

Если нужна более точная замена, уточните условия работы (частота, нагрузка, охлаждение).