IGBT P086A2003

Описание IGBT P086A2003

P086A2003 — это высоковольтный IGBT-транзистор с быстрым переключением, предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Он сочетает в себе преимущества MOSFET и биполярных транзисторов, обеспечивая низкие потери проводимости и высокую эффективность.

Технические характеристики P086A2003

| Параметр | Значение |
|---------------------------|-----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 100 А (при 25°C) |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 200 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт (с радиатором) |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (при I_C = 50 А) |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Корпус | TO-247 (или аналог) |
| Рабочая температура | -40°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги:

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 600 В, 55 А)
• FGA60N65SMD (Fairchild/ON Semi, 650 В, 60 А)
• HGTG30N60A4D (Microsemi, 600 В, 75 А)

Совместимые модели в схемах:

• P086A2004 (более новый вариант с улучшенными параметрами)
• P086A1003 (аналог с меньшим током)
• STGW60H65DFB (STMicroelectronics, 650 В, 60 А)

Применение

• Сварочные инверторы
• Частотные преобразователи
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Электроприводы

Если вам нужна замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие по току и напряжению. Некоторые аналоги могут отличаться по распиновке или тепловым характеристикам.

Нужна дополнительная информация?