IGBT P80-WS

Описание IGBT модуля P80-WS

IGBT P80-WS – это высоковольтный силовой транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Этот модуль сочетает в себе высокую эффективность, надежность и устойчивость к перегрузкам.

Технические характеристики

• Тип структуры: IGBT + диод (часто в одном корпусе)
• Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В / 1200 В (зависит от модификации)
• Номинальный ток (I_C): ~80 А (при 25°C)
• Макс. импульсный ток (I_CM): ~160 А
• Падение напряжения (V_CE(sat)): ~1,8–2,5 В (при номинальном токе)
• Время включения (t_on): ~30–50 нс
• Время выключения (t_off): ~100–200 нс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~0,25–0,4 °C/Вт
• Корпус: модульный (например, TO-247, SEMITRANS или аналогичный)
• Рабочая температура: -40°C до +150°C

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены могут отличаться в зависимости от производителя и схемотехники. Возможные варианты:

Прямые аналоги:

• Infineon: IKW75N60T, IKW80N60H3
• Fuji Electric: 2MBI100U4A-060
• Mitsubishi: CM75DY-24H
• SEMIKRON: SKM75GB12T4

Совместимые модели (по характеристикам):

• IR (Infineon): IRG4PH50UD, IRGP50B60PD1
• ON Semiconductor: FGH40N60SMD
• STMicroelectronics: STGW80H60DF

Примечание

Точные параметры IGBT P80-WS зависят от производителя. Рекомендуется сверяться с даташитом конкретной модели. Если у вас есть дополнительная информация (производитель, фото маркировки), можно уточнить замены.

Нужна помощь с подбором аналога или схемой подключения? Уточните детали!