IGBT PM50B4L1C060

Описание IGBT PM50B4L1C060

PM50B4L1C060 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных системах. Модуль сочетает в себе высокую переключательную способность, низкие потери проводимости и надежную изолированную конструкцию.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Пиковый ток (I_CM) | 100 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | ~200 Вт (с учетом охлаждения) | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1,8 В (тип.) | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0,25 °C/Вт | | Изоляционное напряжение (V_iso) | 2500 В (мин.) | | Корпус | Стандартный (например, 6-контактный) |

Парт-номера и совместимые модели

Оригинальные парт-номера:

• PM50B4L1C060 (полное оригинальное обозначение)
• PM50B4L1C060R (возможен вариант с суффиксом "R")

Аналоги и совместимые модели:

1. Infineon:
   • IKW50N60T (600 В, 50 А, TO-247)
   • IKW50N60H3 (600 В, 50 А, TO-247)
2. Fairchild/ON Semiconductor:
   • FGA50N60SMD (600 В, 50 А)
3. STMicroelectronics:
   • STGW50H60DF (600 В, 50 А)
4. Mitsubishi:
   • CM50DY-12H (600 В, 50 А, модуль)

Совместимые модули в других корпусах:

• FS50R06W1E3 (Infineon, 600 В, 50 А)
• SKM50GB063D (Semikron, 600 В, 50 А)

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Системы управления двигателями

Если требуется точный аналог, рекомендуется проверять datasheet и параметры схемы, так как различия в динамических характеристиках могут влиять на работу системы.

Нужна дополнительная информация по замене или электрическим параметрам? Уточните запрос!