IGBT PT76S16

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT PT76S16
Описание IGBT PT76S16
IGBT PT76S16 – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для использования в высоковольтных и сильноточных приложениях, таких как:
- Промышленные инверторы
- Системы управления электродвигателями
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Сварочное оборудование
- Преобразователи частоты
Ключевые особенности:
- Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES = 1600 В)
- Большой ток коллектора (IC = 76 A)
- Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat))
- Быстрое переключение
- Встроенный антипараллельный диод
- Высокая термостабильность
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1600 В |
| Ток коллектора (IC) | 76 A |
| Ток импульсный (ICM) | 152 A |
| Мощность рассеивания (Ptot) | 300 Вт |
| Падение напряжения (VCE(sat)) | 2.5 В (тип.) |
| Время включения (ton) | 45 нс |
| Время выключения (toff) | 250 нс |
| Корпус | TO-247 (возможны варианты) |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены PT76S16:
- Infineon: IHW40N160R5, IHW75N160R5 (схожие параметры)
- Fuji Electric: 2MBI200U4B-160 (альтернатива с близкими характеристиками)
- Mitsubishi: CM600HA-24H (для более мощных систем)
- Semikron: SKM200GB12T4 (аналог в другом корпусе)
Совместимые модули (если PT76S16 входит в состав модуля):
- Infineon FF600R12ME4 (для инверторных приложений)
- Mitsubishi CM300DY-24H (аналогичный уровень мощности)
Примечание
Перед заменой на аналог рекомендуется проверять datasheet, так как параметры могут незначительно отличаться. Для точного подбора лучше обращаться к производителю или использовать специализированные программы подбора аналогов (например, Octopart, FindChips).
Если нужна более детальная информация по конкретному применению – уточните условия эксплуатации.