IGBT QM100DYHB

Описание IGBT QM100DY-HB

QM100DY-HB – это IGBT-транзистор с интегрированным ультрабыстрым диодом в корпусе TO-247, предназначенный для высокоэффективных силовых приложений. Модуль сочетает в себе низкие потери проводимости и высокую скорость переключения, что делает его подходящим для:

• Инверторов и преобразователей частоты
• Источников бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочного оборудования
• Управления электродвигателями

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 100 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 200 А |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 50 А) |
| Время включения (t_on) | 45 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Интегрированный диод | Да (Ultra-Fast) |
| Корпус | TO-247 |
| Температура хранения/эксплуатации | -55°C до +150°C |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• IXGH100N120B3 (IXYS)
• FGA100N120FTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• NGTB100N120L3WG (ON Semiconductor)

Совместимые модели (схожие параметры):

• IRG4PH50UD (International Rectifier) – 600 В, 55 А
• HGTG20N120BND (Microsemi) – 1200 В, 40 А
• STGW100H120DF (STMicroelectronics) – 1200 В, 100 А

Примечание

Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, особенно V_CES, I_C и параметры диода. Для критичных применений рекомендуется сверяться с даташитами производителей.

Если нужна дополнительная информация (например, графики зависимостей или применение в конкретных схемах), уточните запрос!