IGBT QM100E2YH

Описание IGBT QM100E2YH

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) QM100E2YH – это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Он сочетает в себе преимущества MOSFET (высокое быстродействие) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии).

Модуль QM100E2YH часто используется в:

• Инверторах и частотных преобразователях
• Сварочном оборудовании
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводах и системах управления двигателями

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип | IGBT модуль (NPT, Trench-Gate) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 100 А |
| Ток при импульсном режиме (I_CP) | 200 А |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~2.5 В (при 100 А) |
| Время включения (t_on) | ~50 нс |
| Время выключения (t_off) | ~300 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 °C/Вт |
| Корпус | модуль с изолированным основанием (например, TO-247, но уточняйте) |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги и замены:

• Infineon: IKW75N120T2, IKW100N120T2
• Fuji Electric: 2MBI100U2A-120
• Mitsubishi: CM100DY-24H
• SEMIKRON: SKM100GB12T4
• IXYS: IXGH100N120B3

Похожие модели с другими характеристиками:

• QM75E2YH (75 А, 1200 В)
• QM150E2YH (150 А, 1200 В)
• QM100DY-H (аналог от других производителей)

Примечание

Перед заменой проверяйте распиновку, характеристики и тепловые параметры, так как у разных производителей могут быть отличия. Для точного аналога рекомендуется использовать datasheet оригинального модуля QM100E2YH.

Если нужны дополнительные параметры (например, встроенный диод, динамические характеристики), уточните – дополню описание.