IGBT QM100HCM

Описание IGBT QM100HCM

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) QM100HCM – это мощный высоковольтный транзистор, предназначенный для коммутации больших токов в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность и низкие потери при переключении.
• Встроенный быстрый диод для защиты от обратного напряжения.
• Надежная изоляция корпуса (при наличии изолированного варианта).
• Рабочая температура до +150°C.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------|
| Тип транзистора | NPT IGBT с диодом |
| Коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Коллекторный ток (I_C) | 100 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 200 А |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Пороговое напряжение (V_GE(th)) | 4–6 В |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт |
| Температура хранения | -55°C…+150°C |
| Корпус | TO-247 (возможны варианты) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW75N60T, IKW40N60T
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA60N65SMD
• STMicroelectronics: STGW60H65DFB
• Mitsubishi: CM100DY-24H
• IXYS: IXGH100N60B3

Совместимые модули (если QM100HCM входит в состав модуля):

• SEMIKRON: SKM100GB12T4
• Fuji Electric: 2MBI100U4B-060

Примечания

• Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, так как у аналогов могут быть отличия в параметрах V_CE(sat) и скорости переключения.
• Рекомендуется использовать драйверы с подходящим током затвора (например, IR2110, TD350).

Если нужны данные по конкретному производителю или уточнение параметров, укажите это!