IGBT QM10HB-2H

Описание IGBT QM10HB-2H

QM10HB-2H – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других высоковольтных/высокотоковых устройствах. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, обеспечивая высокую эффективность и надежность.

Технические характеристики:

• Тип: IGBT + диод (встроенный обратный диод)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 10 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 20 А (при 100°C, импульсный)
• Мощность рассеивания (P_D): 100 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В (макс.)
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~1.8 В (при I_C = 10 А)
• Время включения (t_on): ~50 нс
• Время выключения (t_off): ~150 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (3 контакта)
• Изоляция корпуса: Нет (требуется изолирующая прокладка)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены могут различаться по параметрам, поэтому перед заменой рекомендуется сверять datasheet.

Прямые аналоги:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• HGTG10N60A4D (ON Semiconductor)
• FGA10N60 (Fairchild/ON Semi)
• STGW10NC60HD (STMicroelectronics)

Частично совместимые (требуется проверка параметров):

• IXGH10N60B3 (IXYS)
• APT10GN60JDQ2 (Microsemi)
• TK10A60W (Toshiba)

Применение:

• Преобразователи частоты
• Индукционные нагреватели
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Управление двигателями
• Сварочные инверторы

Для точного подбора замены рекомендуется проверять даташит на соответствие параметров, особенно V_CES, I_C и тепловые характеристики.

Если нужны дополнительные аналоги или уточнения – укажите конкретное применение.