IGBT QM150DY-HK

Описание IGBT QM150DY-HK

QM150DY-HK — это высоковольтный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для использования в силовой электронике, инверторах, импульсных источниках питания, промышленных приводах и системах управления электродвигателями. Модуль сочетает высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую тепловую стабильность.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 150 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 75 А (при 100°C)
• Максимальная импульсная мощность (P_tot): 600 Вт
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0.25 °C/Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2.0 В (при I_C = 150 А)
• Время включения (t_on): 80 нс
• Время выключения (t_off): 150 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C

Корпус и монтаж:

• Тип корпуса: модульный (обычно TO-247 или аналогичный)
• Количество выводов: 3 (коллектор, эмиттер, затвор)
• Способ монтажа: винтовое крепление или пайка

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (полные или частичные замены):

• Infineon: IKW75N60T
• Fuji Electric: 2MBI150U4A-060
• Mitsubishi: CM150DY-24H
• SEMIKRON: SKM150GB066D
• STMicroelectronics: STGW75HF60WD

Совместимые модели (по характеристикам):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N60A4D (Microsemi)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Импульсные блоки питания
• Системы управления электродвигателями
• Солнечные инверторы

Если вам нужны дополнительные параметры (например, графики зависимостей или точные схемы подключения), уточните запрос.