IGBT QM200DY-H

Описание IGBT QM200DY-H

QM200DY-H — это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как инверторы, сварочные аппараты, промышленные приводы и системы управления электродвигателями. Модуль объединяет в одном корпусе IGBT и диод обратного хода (FRD), обеспечивая высокую эффективность и надежность в тяжелых условиях эксплуатации.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + FRD (Fast Recovery Diode) |
| Конфигурация | 2 в 1 (Half-Bridge) |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток (I_C) | 200 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 400 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 600 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.12 °C/Вт |
| Корпус | модульный (изолированный), например, 62мм × 34мм |
| Вес | ~120 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Fuji Electric: 2MBI200U6A-060
• Infineon: FF200R06KE3
• Mitsubishi: CM200DY-24NF
• SEMIKRON: SKM200GB066D
• Powerex (Mitsubishi): CM200DY-12NF

Похожие модели:

• QM300DY-H (300A, 600V)
• QM150DY-H (150A, 600V)
• IRG4PH50UD (от International Rectifier, 55A, 1200V)

Примечания

1. Совместимость: При замене на аналог важно учитывать параметры V_CES, I_C и корпус.
2. Охлаждение: Рекомендуется использовать термопасту и радиатор для эффективного отвода тепла.
3. Производитель: QM200DY-H может выпускаться под разными брендами (например, Toshiba, Hitachi), уточняйте datasheet.

Для точного подбора аналога рекомендуется сравнивать даташиты, особенно параметры V_CE(sat) и динамические характеристики.