IGBT QM200HA-HK

IGBT QM200HA-HK: Описание и технические характеристики

Общее описание

QM200HA-HK – это высоковольтный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других устройствах, требующих высокого напряжения и тока.

Ключевые особенности:

• Высокая стойкость к перегрузкам
• Низкие потери при переключении
• Быстрое переключение
• Встроенный свободно-колебательный диод (FRD)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|---------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В / 1200 В (в зависимости от модификации) |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 200 А (максимальный постоянный) |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 100–150 А (в зависимости от условий) |
| Импульсный ток (I_CP) | до 400 А |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | ~300–500 Вт (с радиатором) |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2,0–3,0 В |
| Время включения (t_on) | 50–100 нс |
| Время выключения (t_off) | 100–200 нс |
| Корпус | TO-247 или аналогичный (3-контактный) |
| Рабочая температура (T_j) | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и альтернативные модели:

• Infineon: IKW75N65ES5, IKW40N120H3
• Fuji Electric: 2MBI200U4H-120-50
• Mitsubishi: CM200DU-24NFH
• ON Semiconductor: NGGB200N65S3
• SEMIKRON: SKM200GB12T4

Совместимые модули (если QM200HA-HK часть сборки):

• Полумостовые модули: QM200HA-H + QM200HA-L
• Полные мосты: QM200HA-2H (два IGBT в одном корпусе)
• Инверторные сборки: QM200HA-6H (3-фазный инвертор)

Применение

• Частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Импульсные источники питания
• Тяговые приводы
• Солнечные инверторы

Если вам нужны более точные данные, укажите конкретную модификацию (например, напряжение 600 В или 1200 В), чтобы подобрать точные аналоги.