IGBT QM30E2Y-H

Описание IGBT QM30E2Y-H

IGBT QM30E2Y-H – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) в корпусе TO-247, разработанный для высокоэффективных силовых приложений. Компонент сочетает в себе высокую скорость переключения, низкие потери проводимости и устойчивость к перегрузкам, что делает его пригодным для использования в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | N-канальный IGBT | | Корпус | TO-247 | | Макс. напряжение V_CES | 1200 В | | Макс. ток коллектора I_C | 30 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CP) | 60 А (кратковременно) | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт (с радиатором) | | Напряжение насыщения V_CE(sat) | 2.5 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 35 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 150 нс (тип.) | | Темп. перехода (T_j) | от -55°C до +150°C | | Сопротивление затвора (R_G) | 5 Ом (рекомендуемое) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные замены (полные аналоги):

• QM30E2Y-H (оригинал)
• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• HGTG30N120B3D (Fairchild/ON Semiconductor)
• FGA30N120ANTD (Fairchild)

Совместимые модели (частичные аналоги):

• IRGP30B120KD (Infineon)
• NGTB30N120LWG (ON Semiconductor)
• STGW30NC120HD (STMicroelectronics)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Управление электродвигателями

Примечание

При замене на аналог рекомендуется проверять соответствие характеристик, особенно напряжения V_CES и тока I_C. Для критичных применений предпочтительнее оригинальный компонент.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните!