IGBT QM30HCH

Описание IGBT QM30HCH

IGBT QM30HCH – это транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных импульсных схемах, инверторах, частотных преобразователях и системах управления двигателями. Отличается высокой скоростью переключения, низкими потерями и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|-----------------------------------| | Тип устройства | IGBT (N-канальный) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) | 30 А (при 25°C) | | Ток импульса (I_CM) | 60 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт (с теплоотводом) | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 4–6 В | | Время включения (t_on) | 50 нс (типовое) | | Время выключения (t_off) | 150 нс (типовое) | | Корпус | TO-247 (3-выводной) | | Диапазон рабочих температур | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (замены):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA30N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• H30R1203 (Infineon)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)

Похожие модели (с другими параметрами, но совместимые в некоторых схемах):

• IRGP30B60KD (600 В, 30 А)
• IXGH30N60B3D1 (IXYS)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы и сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Импульсные блоки питания

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять datasheet на предмет соответствия параметров в конкретной схеме. Некоторые аналоги могут иметь отличия в характеристиках (например, время переключения или корпус).