IGBT QM30TF-HB

IGBT QM30TF-HB: Описание и технические характеристики

Описание

QM30TF-HB – это изолированный затвором биполярный транзистор (IGBT), предназначенный для применения в инверторах, импульсных источниках питания, сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

✔ Высокая переключательная способность
✔ Низкие потери проводимости и переключения
✔ Встроенный быстрый диод (антипараллельный)
✔ Высокая температурная стабильность

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|---------------------------| | Тип транзистора | IGBT с диодом | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) | 30 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 60 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 150 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 4,0–6,0 В | | Время включения (t_on) | 35 нс | | Время выключения (t_off) | 120 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C…150°C | | Корпус | TO-3P (TO-247) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N60B3 (Microsemi)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)

Прямые замены (cross-reference):

• QM30TF-HB
• QM30TF-2H
• QM30TF-3H

Применение

🔹 Инверторы и частотные преобразователи
🔹 Сварочные аппараты
🔹 Импульсные блоки питания
🔹 Управление электродвигателями

Если вам нужны аналоги с другими параметрами (например, более высоким напряжением или током), уточните – подберу замену.