IGBT QM50E2Y-H

IGBT QM50E2Y-H: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT QM50E2Y-H – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, таких как:

• Инверторы
• Импульсные источники питания
• Системы управления электродвигателями
• Промышленные преобразователи частоты

Изделие отличается высокой скоростью переключения, низкими потерями проводимости и высокой устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------------|--------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 50 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,0 В (при I_C = 50 А) |
| Время включения (t_on) | 45 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальные парт-номера:

• QM50E2Y-H (оригинал от производителя)

Совместимые аналоги:

• IRG4PC50UD (International Rectifier)
• FGA50N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N120BND (Microsemi)
• IXGH50N120B3 (IXYS/Littelfuse)

Аналоги с близкими параметрами (требуется проверка схемы):

• CM50E2Y-24H (Mitsubishi)
• STGW50NC60WD (STMicroelectronics)

Примечание

Перед заменой IGBT рекомендуется уточнить электрические параметры и распиновку, так как некоторые аналоги могут иметь отличия в характеристиках и корпусах. Для точного подбора лучше использовать даташиты производителей.

Если вам нужна более точная информация по конкретному применению, уточните условия работы (частота переключения, нагрузка, система охлаждения и др.).