IGBT QM50E3Y-H

Описание IGBT QM50E3Y-H

QM50E3Y-H – это высоковольтный IGBT-транзистор с быстрым переключением, предназначенный для использования в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Модуль сочетает в себе низкие потери проводимости и высокую надежность, что делает его подходящим для промышленных применений.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|--------------------------|-----------------------------|
| Тип транзистора | NPT IGBT + диод |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт (с радиатором) |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 2.5 В (при 50 А) |
| Время включения (t_on) | ≤ 50 нс |
| Время выключения (t_off) | ≤ 150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (3-pin) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги:

• QM50E3Y (аналогичная версия без дополнительного суффикса)
• QH50E3Y-H (модификация с улучшенными параметрами)

Совместимые модели других производителей:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N65SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60B3 (Microsemi)
• IXGH50N60B3 (IXYS)

Применение

• Сварочные инверторы
• Импульсные блоки питания
• Частотные преобразователи
• Системы управления электродвигателями

Если вам нужна дополнительная информация по эквивалентам или параметрам, уточните условия применения (например, частота переключения, охлаждение).