IGBT QM50E3YHD

Описание IGBT QM50E3YHD

QM50E3YHD – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), разработанный для мощных высокочастотных преобразовательных устройств. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|--------------------------------------| | Тип транзистора | NPT IGBT (Non-Punch-Through) | | Коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Напряжение затвора (V_GE) | ±20 В | | Мощность рассеивания (P_tot) | 250 Вт (при 25°C) | | Время включения (t_on) | 35 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Корпус | TO-3P (изолированный) | | Температура хранения | от -55°C до +150°C | | Температура перехода (T_j) | до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IXGH50N120B3 (IXYS)
• IRG4PH50UD (Infineon)
• FGA50N120ANTD (Fairchild/ON Semi)
• HGTG50N120B3 (Microsemi)

Совместимые модели в других корпусах:

• QM30E3YHD (30 А, TO-3P)
• QM75E3YHD (75 А, TO-3P)

Применение

• Инверторы для сварочных аппаратов
• Преобразователи частоты
• Импульсные блоки питания
• Системы управления электродвигателями

Если вам нужна более точная информация по аналогам или даташит, уточните производителя (например, Mitsubishi, Toshiba, Infineon). Некоторые аналоги могут иметь небольшие различия в характеристиках.